在樓宇控制的設(shè)計中，水浸探測器是一種很重要的電氣設(shè)備。水浸探測器讀出電路主要結(jié)構(gòu)如圖所示，電路由三級組成，第一級像素級，1×64陣列的量子點(diǎn)-量子阱光電探測器，通過行掃描開關(guān)連到第二級CTIA-CDS讀出級。第三級是緩沖輸出級。為了抑制水浸探測器讀出過程器件與采樣系統(tǒng)產(chǎn)生的熱噪聲、1/f噪聲、暗電流噪聲和背景噪聲電流，采樣保持電路采用相關(guān)雙采樣結(jié)構(gòu)。為了增加動態(tài)范圍，積分電容有2，10和12pF三種，為了抑制量子點(diǎn)存儲對光探測的影響，采用周期性倒空技術(shù)，在水浸探測器器件下電極端(VCOM)加周期性倒空信號，在光讀出前進(jìn)行復(fù)位，減小量子點(diǎn)存儲電荷影響，增大水浸探測器微光探測靈敏度。